求助，使用TLM法测试TFT的接触电阻，底栅顶接触结构器件，Vg=15V,测试Vd=0.1V时的Id结果拟合曲线的截距是负数，为什么接触电阻能有负数？

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半导体由既不是良好导体也不是良好绝缘体的材料制成。这就是我们所说的半导体。由于它们的可靠性、紧凑性和低成本，此类设备在广泛的应用中使用。 这是用于光发射器的独立组件，包括功率器件、紧凑型光学传感器和固态激光器。它们具有大范围的电流和电压处理能力。它的额定电流超过 5000 安培，额定电压超过 100,000 伏。更重要的是，半导体器件有助于集成到复杂但易于构建的微电子电路中。 他们有一个潜在的未来。大多数电子系统的关键

作用：半导体稳压二极管亦纳二极管（ZenerDiode）或电压调整二极，简称稳压管。稳压管和半导体二极管都具有单向导电性质，仅仅靠观察外形，有时很难加以区别。例如，2CW7的外形很象小功率二极管，而2DW7的外形又与晶体管相似。动态电阻也比较大。对于稳压管，当反向电压超过其工作电压Vz（亦称齐纳电压或稳定电压）时，反向电流将突然增大，而器件两端的电压基本保持恒定。对应的反向伏安特性曲线非常陡，动态电阻很小。稳压管可用作稳压

一、业内口碑 其实在刚开始对于元器件采购网站还是比较陌生的时候，可以看购买过的朋友的评价挑选出几个口碑比较好的商城网站，毕竟口碑好的话，证明元器件质量、发货、种类齐全也是不错的。相比一些小作坊形式的元件商城来说，口碑好的肯定是更加有保障的。所以在刚开始对于元器件采购网站不太了解的时候选择口碑好的电子元器件商城网站肯定是没有问题的。 二：企业规模 选择电子元件网站的时候肯定是要看公司的规模实力到底如何的

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IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整

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对于任何一个器件，在使用之前，无论是生产方还是使用方都会进行充分的验证，以确定产品的性能是否符合相应的需求。今天我们就来说一说有关IGBT的一项比较重要的测试——双脉冲测试(Double Pulse Test)。 为什么叫双脉冲测试？单脉冲不可以吗？ 在大部分电力电子装置中，负载的电感量都比较大，在IGBT关断后，电感电流一般不会断流，二极管会一直续流，在此时开通IGBT，会有二极管的反向恢复过程。而单脉冲实验中是没有二极管反向恢复过程的，

SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中： （1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。 各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C，该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数，系统

一、IGBT应用技术的讨论 IGBT中文称之为场效应双极晶体管或隔离栅双极晶体管。IGBT已经被各种电力电子产品广泛应用，在中大功率的变流器中为主流器件。IGBT的应用技术远比MOSFET复杂，有必要对IGBT应用技术作深入的探讨。 二、IGBT的目标用户 主要目标用户为驱动各类电机的调速； 新能源的变流器：风能发电，太阳能发电（光伏）； 稳压开关电源类，高频直流焊机（恒流）等。 其他：谐波治理，高压直流输变电，电磁炉，UPS等等。 三、IGBT的前沿应

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州扬杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试

一、 概述 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初

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近日，中车某公司来我司参观考察大功率IGBT动静态测试设备、IGBT高温反偏测试设备，IGBT功率循环测试设备。联系：15249202572.并与我司研发人员对该项目的IGBT模块测试展开深入的讨论，对我我司技术研发能力表示高度认可。 我公司是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。公司以自主研发生产的全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试

2020年04月中旬，易恩电气自主研发生产的功率器件图示系统ENJ2005-C在安徽某研究院上线运行，此次设备主要用于实验室的器件选型及失效分析。联系15249202572 易恩电气以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪，晶闸管测试仪，雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏HTRB、栅电荷测试系统等系列产品。广

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广州某电子有限公司来我司考察 2020年07月，广州某电子有限公司，来到西安易恩电气制造车间现场考察指导工作。联系15249202572.在我司张总等人的带领下，介绍了我司整体以及产品研发情况，并先后参观了技术生产测试车间，技术研发实验室等等。 张总对我司两款产品做了重点介绍：ENX2020C IGBT高压反偏测试系统，该设备是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计，适用于中低压IGBT模块产品的高温反偏测试，最大测试电压为3.5kV。可以实现对IGBT器件

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在全球性半导体行业快速发展的今天，以IGBT，MOSFET，晶闸管，第三代半导体器件（SIC）为代表的功率半导体器件以优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、白色家电、交流电机，汽车电子，变频逆变，UPS，电焊机，电源，等领域。下面以IGBT为例：在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的电压变化率和电流变化率所引起的电压和电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降

为了保证产品的耐久性能，也就是产品使用的寿命。IGBT模块厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验，以确保产品的长期耐久性能。一般常见的测试的项目如下图所示。 这出自一份英飞凌关于3300V IHV-B封装产品系列的产品认证报告Product Qualification Report。这个报告里的测试项目，除了ESD静电测试以外，都是和IGBT模块的寿命相关的。寿命相关测试可以分成两部分，一部分是对于芯片本身寿命的考核，另一部分是对机械连接的考核。其中对芯片本身寿

请问有人知道做功率器件或者这方面设计好找工作吗？一般一本大学研究生毕业的话？

1产品概述 EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT模块的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。 2.2规格环境与参数指标2.2.1规格环境与参数指标 l 工作电压

2020年6月18日，华为某研发中心来我司参观考察 SiC 和 Si 基 功率器件动静态测试设备。并与我司研发人员对产线自动化测试展开深入的讨论，对我我司技术研发能力表示高度认可。联系15249202572 目前，在二极管、整流管、mos管等领域，华为正在积极与国内厂商合作，加大对国内功率半导体产品的采购量，而在高端IGBT领域，华为开启自研之路。

mesfet没有增强型嘛，为什么有人跟我说mesfet沟道一直存在，只有耗尽型。n沟道型和p沟道型源漏区和衬底掺杂分别是什么型。求解

近年来，在5G 商用进程加速的不断推动下，全球半导体集成电路行业景气度提升，带动半导体集成电路材料特别是硅材料市场需求增长。神工股份作为半导体级单晶硅材料领域的领先者，凭借着核心技术和工艺优势，进一步提升刻蚀用半导体级单晶硅材料产品的性价比水平，迅速抢占市场份额。

2020年05月上旬，我公司自主研发的半导体分立器件测试系统ENJ2005-B在广州某半导体器件厂上线运行。 ENJ2005-B是我公司的一款标准设备，测试范围广，升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装

半导体单晶硅材料是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，其技术创新及新产品开发需要持续的资金和人员投入，通过不断尝试才可能取得成功，处于新材料发展的前沿。截至目前，半导体级单晶硅材料已发展成为集成电路产业链中重要的基础材料，为国家战略部署的关键领域，同时也是国家产业政策支持的重要行业。而神工股份作为国内领先的半导体级单晶硅材料供应商，从创建之初便紧跟市场发展，紧握市场机遇，以先进工艺

半导体器件（semiconductor device）通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两 类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的

近日，我公司成功中标《国电南瑞IGBT模块封装测试生产线建设项目》浪涌测试系统。 易恩电气在众多的竞争者当中脱颖而出，顺利中标，这无疑是对公司的综合实力、技术水平的又一次肯定，也是客户对易恩电气品牌的认可，更是对西安易恩电气的测试产品的认可。 此次成功中标离不开公司领导的正确决策和各部门人员的全力配合。项目中标对公司以后业务推广、拓宽市场具有重要意义，不仅展示了公司的实力，同时也展示了我公司的核心竞争力。

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高效使用电能是实现经济-环境-社会三者和谐、可持续发展的重要环节，功率半导体器件是实现电能高效转换的核心与基础。基于碳化硅材料的功率器件相比传统硅基功率器件，具有耐压高、损耗小、频率高、效率高、散热好等优势，是新一代电力电子装置最具竞争力的功率“CPU”候选者。经过几十年的发展，目前碳化硅产业链日趋成熟，成本持续下降，下游接受度也开始提升，整个产业链处于行业爆发的前夜。在我国对全球做出“碳达峰、碳中和”

这个为啥按照手册的命令去启动gds2mesh工具，但显示不合法呢？

前言 （本专题发表在《电子与封装》2021年第2期，官网：http://www.ep.org.cn，专题网址：http://ep.org.cn/CN/subject/listSubjectChapters.do?subjectId=161） GaN半导体技术是具有战略性、先导性等显著特性的新一代半导体芯片技术。因GaN材料具有宽禁带宽度、高功率密度、强击穿电场等优势，GaN电子器件，尤其GaN微波固态器件，已被公认为变革军事电子系统与架构的颠覆性元器件之一，上述器件在我国目前推进的嫦娥、天宫等航天工程以及空间站建设任务中的应用正得